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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW326971 | 一种半导体二极管导线架之改良结构 | 1998.02.11 | 本创作系一种半导体二极管导线架之改良结构，系使一金属片经冲床加工以冲压出若干组可与蕊片相结合之导线架 |
| 2 | TW351841 | 一种片型半导体二极管之装置及其制造方法 | 1999.02.01 | 本发明系一种片型半导体二极管之装置及其制造方法，其主要系在玻璃纤维强化基板(或在陶瓷基板上以铜蚀刻或 |
| 3 | TW277148 | 铝瓷板片型半导体二极管制造方法 | 1996.06.01 | 本发明之铝瓷板片型半导体二极管制造方法，由该铝瓷基板为主要管体构件，先将二极管半导体圆片切割成管蕊片 |
| 4 | CN101079115A | RFID封装结构 | 2007.11.28 | 本发明为一种RFID封装结构，用以解决公知技术的RFID应答器结构所造成的资料读取率不佳的缺点，本发 |
| 5 | TW258824 | 以槽形外壳构件组构之半导体二极管 | 1995.10.01 | 本发明之以槽形外壳构件组构之半导体二极管，由管蕊片、导件及外壳三个主要另件组构而成，管蕊片可为矽整流 |
| 6 | TW305773 | 可透过液体的薄膜 | 1997.05.21 | 依据本发明，一种可透过液体的薄膜可以利用一亲水性材质制成之网体，固定该网体之框架以及一薄膜材料而形成 |
| 7 | TW284910 | 全切面钝化玻璃护封矽半导体二极管蕊片及其制法 | 1996.09.01 | 本发明所楬櫫之全切面护封矽半导体二极管蕊片及其制法，其电极可为铝镀膜、镍、银镀膜或金二次镀膜。本发明 |
| 8 | TW342525 | 铝瓷板片型半导体二极管制造方法追加(一) | 1998.10.11 | 本发明一种第８３１００５８３号之铝瓷板片型半导体二极管制造方法追加（一），以减少制成步骤及材质，将片 |
| 9 | TW370619 | 半导体二极管蕊片测试分类方法 | 1999.09.21 | 本发明系一种半导体二极管蕊片测试分类方法，其系将二柄管蕊片摇入其上设有一呈矩阵排列之穴孔之测试盘上， |
| 10 | TW247373 | 具基板构造之矽半导体整流电桥组件 | 1995.05.11 | 本发明为一种矽半导体桥式整流器(SILICONE BRIDGE RECTIFIER) 之制造成法，在 |
| 11 | CN1167342A | 全切面结玻璃钝化的硅半导体二极管芯片及其制造方法 | 1997.12.10 | 一种具有P-N结全切面钝化玻璃护封的硅半导体二极管芯片，使用钝化玻璃护封层，覆着于芯片的整个P-N结 |
| 12 | CN105845646A | 半导体组件封装结构与其制造方法 | 2016.08.10 | 本发明提供一种半导体组件封装结构与其制造方法，此半导体组件封装结构包括一半导体组件、一顶端基板、一底 |
| 13 | TWI529972 | 具有护封体的半导体二极体晶片及其制作方法 | 2016.04.11 | 半导体二极体晶片的制作方法，其包含下列步骤：提供一晶圆；于晶圆的正反面形成一保护膜；切割晶圆，以形成 |
| 14 | CN104835894A | 半导体二极管芯片及其制作方法 | 2015.08.12 | 一种半导体二极管芯片及其制作方法，该制造方法包含下列步骤：提供一晶圆；于晶圆的正反面形成一保护膜；切 |
| 15 | TWM410334 | 电容封装结构 | 2011.08.21 | |
| 16 | 电容封装结构 | 2011.08.21 | ||
| 17 | CN201804711U | 电容封装结构 | 2011.04.20 | 本实用新型公开了一种电容封装结构，其包括：一基板单元、一绝缘单元及一电容单元。基板单元具有至少一顶层 |
| 18 | CN100561507C | RFID封装结构 | 2009.11.18 | 本发明为一种RFID封装结构，用以解决公知技术的RFID应答器结构所造成的资料读取率不佳的缺点，本发 |
| 19 | TWI297936 | RFID封装结构 | 2008.06.11 | 本发明系为一种RFID封装结构,用以解决知技术之RFID应答器结构所造成之资料读取率不佳之缺点,本发 |
| 20 | TW200739834 | RFID封装结构 | 2007.10.16 | 本发明系为一种RFID封装结构，用以解决知技术之RFID应答器结构所造成之资料读取率不佳之缺点，本发 |
| 21 | CN1074168C | 全切面结玻璃钝化的硅半导体二极管芯片及其制造方法 | 2001.10.31 | 一种具有Ｐ－Ｎ结全切面钝化玻璃护封的硅半导体二极管芯片，使用钝化玻璃护封层，覆着于芯片的整个Ｐ－Ｎ结 |
| 22 | TW445559 | 可利用高周波进行半导体焊接之方法 | 2001.07.11 | 本发明系一种可利用高周波进行半导体焊接之方法,其系利用高周波加热原理，来进行半导体封装中的焊接制程， |
| 23 | CN1044755C | 陶瓷片型半导体二极管及其制造方法 | 1999.08.18 | 一种陶瓷片型半导体二极管及制造方法，是在预制的陶瓷板状壳体上设有一个半导体二极管芯片的安装座，该芯片 |
| 24 | CN1043173C | 以槽形外壳构件组构的半导体二极管及其封装方法 | 1999.04.28 | 以槽形外壳构件组构的半导体二极管，包括管芯片、外壳和导件。管芯片是硅整流二极管、稳压二极管或讯号开关 |
| 25 | TW354410 | 玻璃纤维强化树脂板积层封装片型半导体二极管之制造方法 | 1999.03.11 | 本发明系一玻璃纤维强化树脂板积层封装片型半导体二极管之制造方法，其系直接将与半导体二极管之导接线路制 |
| 26 | CN1167342A | 全切面结玻璃钝化的硅半导体二极管芯片及其制造方法 | 1997.12.10 | 一种具有P-N结全切面钝化玻璃护封的硅半导体二极管芯片，使用钝化玻璃护封层，覆着于芯片的整个P-N结 |
| 27 | TW278224 | 陶瓷管构装玻璃护封矽半导体整流二极管及其制法 | 1996.06.11 | 将玻璃护封之矽半导体整流二极管，构装于精密陶瓷烧制成之陶瓷管内，形成无孔洞（cavity free） |
| 28 | TW257882 | 矽半导体二极管元件及组件之蕊片与绝缘胴体结构及其制法 | 1995.09.21 | 利用连结型之二极管绝缘胴体构件，其上之每一单元制备一个或一组多个之蕊片安装座，并将二极管蕊片施以固着 |
| 29 | TW234199 | 玻璃纤维强化树脂板片型半导体二极管制造方法 | 1994.11.11 | 本发明之玻璃纤维强化树脂板片型半导体二极管制造方法，是藉该导件之各部冲切成型，并以该导件之连接筋褶压 |
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